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参数资料
| 型号： | RQ1A070ZPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7400pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RQ1A070ZP
Electrical characteristics curves
Data Sheet
10
8
6
V GS = -10V
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
V GS = -1.8V
V GS = -1.5V
Ta=25 ℃
Pulsed
10
8
6
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
V GS = -1.8V
V GS = -1.5V
Ta=25 ℃
Pulsed
10 V DS = -6V
Pulsed
1 Ta=125 ℃
Ta=75 ℃
Ta=25 ℃
V GS = -1.2V
0.1
Ta= -25 ℃
4
V GS =-1.2V
4
V GS = -1.3V
2
0
V GS =-1.0V
2
0
V GS = -1.0V
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2 4 6 8
10
0
0.5
1
1.5
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.1 Typical output characteristics( Ⅰ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.2 Typical output characteristics( Ⅱ )
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
1000
Ta=25 ℃
1000
V GS = -4.5V
1000
V GS = -2.5V
100
Pulsed
V GS = -1.5V
V GS = -1.8V
V GS = -2.5V
V GS = -4.5V
100
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
100
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
10
1
10
1
10
1
0.1
1
10
0.1
1
10
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
1000
V GS = -1.8V
Pulsed
Ta=125°C
1000
V GS = -1.5V
Pulsed
Ta=125°C
100
V DS = -6V
Pulsed
Ta=75°C
Ta=75°C
100
Ta=25°C
Ta= -25°C
100
Ta=25°C
Ta= -25°C
10
10
1
10
1
1
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta= 125°C
0.1
1
10
0.1
1
10
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅳ )
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.8 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅳ )
3/4
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.9 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
2009.08 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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