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参数资料
| 型号： | RRH040P03TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRH040P03TB1DKR |
RRH040P03
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Data Sheet
Parameter
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Symbol
C iss
C oss
C rss
t d(on) *6
t r *6
t d(off) *6
t f *6
Conditions
V GS = 0V
V DS = - 10V
f = 1MHz
V DD ? - 15V, V GS = - 10V
I D = - 2A
R L = 7.5 W
R G = 10 W
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
480
70
70
7
18
50
37
Max.
-
-
-
-
-
-
-
Unit
pF
ns
l Gate Charge characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Symbol
Q g *6
Q gs *6
Q gd *6
Conditions
V DD ? - 15V, I D = - 4A
V GS = - 5V
V DD ? - 15V, I D = - 4A
V GS = - 10V
V DD ? - 15V, I D = - 4A
V GS = - 5V
Min.
-
-
-
-
Values
Typ.
5.2
9.6
1.6
1.6
Max.
-
-
-
-
Unit
nC
l Body diode electrical characteristics (Source-Drain)(T a = 25°C)
Parameter
Inverse diode continuous,
forward current
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Symbol
I S *1
V SD *6
t rr *6
Q rr *6
Conditions
T a = 25°C
V GS = 0V, I s = - 4.0A
I S = -4 A
di/dt = 100A / m s
Min.
-
-
-
-
Values
Typ.
-
-
20
10
Max.
- 1.6
- 1.2
40
20
Unit
A
V
ns
m C
*6 Plused
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRH050P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 |
| RRH075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 |
| RRH100P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| RRH140P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 |
| RRL025P03TR | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RRH050P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:RRH050P03 |
| RRH050P03TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| RRH050P03TB1 | 功能描述:MOSFET Pch -30V -5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RRH075P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRH075P03TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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