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参数资料
| 型号： | RRH040P03TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRH040P03TB1DKR |
RRH040P03
l Electrical characteristic curves
Fig.20 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
10000
Fig.21 Switching Characteristics
10000
Data Sheet
1000
T a = 25oC
f=1MHz
V GS =0V
C iss
1000
t d (off)
t f
T a = 25oC
V DD = - 15V
V GS = - 10V
R G =10 W
100
100
C rss
C oss
10
t d (on)
t r
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.22 Dynamic Input Characteristics
10
9
8
7
6
5
Drain Current : -I D [A]
Fig.23 Source Current
vs. Source Drain Voltage
10
V GS = 0V
1
4
3
2
1
T a = 25oC
V DD = - 15V
I D = - 4.0A
R G =10 W
0.1
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = - 25oC
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0.01
0
0.5
1
1.5
Total Gate Charge : Q g [nC]
Source-Drain Voltage : -V DS [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| RRH050P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 |
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| RRH100P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| RRH050P03TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| RRH050P03TB1 | 功能描述:MOSFET Pch -30V -5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RRH075P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
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