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参数资料
| 型号： | RRH050P03TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRH050P03TB1DKR |
RRH050P03
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *4
R thJA *5
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
62.5
125
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = - 1mA
Min.
- 30
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D = - 1mA
ΔT j referenced to 25 ? C
-
- 25
-
mV/ ? C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = - 30V, V GS = 0V
V GS = ? 20V, V DS = 0V
V DS = - 10V, I D = - 1mA
I D = - 1mA
referenced to 25°C
-
-
- 1
-
-
-
-
3.9
- 1
? 10
- 2.5
-
m A
m A
V
mV/ ? C
V GS = - 10V, I D = - 5A
-
36
50
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on)
*6
V GS = - 4.5V, I D = - 2.5A
V GS = - 4.0V, I D = - 2.5A
-
-
52
58
72
80
m W
V GS = - 10V, I D = - 5A, T j =125 ? C
-
45
63
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *6
f = 1MHz, open drain
V DS = - 10V, I D = - 5A
-
4.0
9.5
8.0
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 L ? 10 m H, V DD = - 15V, Rg = 25 W , starting T j = 25°C
*4 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*5 Mounted on a FR4 (20×20×0.8mm)
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRH075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 |
| RRH100P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| RRH140P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 |
| RRL025P03TR | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 |
| RRQ030P03TR | MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RRH075P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRH075P03TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| RRH075P03TB1 | 功能描述:MOSFET Pch -30V -7.5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RRH090P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRH090P03TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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