参数资料
型号: RRH050P03TB1
厂商: Rohm Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 5A SOP8
产品目录绘图: xTB1 Series SOP-8
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 850pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 标准包装
其它名称: RRH050P03TB1DKR
RRH050P03
l Electrical characteristic curves
Fig.20 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
10000
Fig.21 Switching Characteristics
10000
Data Sheet
1000
Ciss
T a = 25oC
f=1MHz
V GS =0V
1000
td(off)
T a = 25oC
V DD = - 15V
V GS = - 10V
R G =10 W
tf
100
100
Crss
Coss
10
td(on)
tr
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.0
0.1
1.0
10.0
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.22 Dynamic Input Characteristics
10
Drain Current : -I D [A]
Fig.23 Source Current
vs. Source Drain Voltage
10
V GS = 0V
8
6
4
1
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = - 25oC
2
T a = 25oC
V DD = - 15V
I D = - 5.0A
R G =10 W
0.1
0
0
5
10
15
20
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Total Gate Charge : Q g [nC]
Source-Drain Voltage : -V DS [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C
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