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参数资料
| 型号： | RRH100P03TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.6 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRH100P03TB1DKR |
RRH100P03
l Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
120
100
100
P W = 100μs
80
10
DC Operation
P W = 1ms
60
40
20
1
0.1
P W = 10ms
Operation in this area
is limited by R DS (on)
( V GS = 10V )
T a =25oC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
1
10
100
Junction Temperature : Tj [ ° C]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
T a =25oC
Single Pulse
1
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.4 Single Pulse Maxmum Power dissipation
10000
T a =25oC
Single Pulse
1000
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.01
top D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
bottom Signle
Rth(ch-a)=62.5oC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t) × Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
1 100
100
10
1
0.0001
0.01
1
100
Pulse Width : P W [s]
Pulse Width : P W [s]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRH140P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 |
| RRL025P03TR | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 |
| RRQ030P03TR | MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6 |
| RRQ045P03TR | MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| RRR015P03TL | MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RRH120-070-150-K5B | 制造商:Richco 功能描述:Ferrite bead core 12mm K5B |
| RRH140P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRH140P03_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Pch -30V -14A Power MOSFET |
| RRH140P03TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| RRH140P03TB1 | 功能描述:MOSFET Pch -30V -14A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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