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参数资料
| 型号： | RRH100P03TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.6 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRH100P03TB1DKR |
RRH100P03
l Electrical characteristic curves
Fig.5 Avalanche Current vs Inductive Load
Data Sheet
Fig.6 Avalanche Energy Derating Curve
vs Junction Temperature
100
10
1
Starting T ch =25oC
V DD = - 15V
V GS = - 10V
R G =10 W
Single Pulse
120%
100%
80%
60%
40%
20%
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0%
0
25
50
75
100
125
150
175
Coil Inductance : L [mH]
Fig.7 Typical Output Characteristics(I)
20
Junction Temperature : T j [oC]
Fig.8 Typical Output Characteristics(II)
20
18
16
V GS = - 10V
T a = 25oC
18
16
14
V GS = - 4.5V
14
12
10
8
6
V GS = - 4.0V
V GS = - 3.2V
V GS = - 3.0V
12
10
8
6
V GS = - 4.0V
V GS = - 3.4V
V GS = - 3.2V
V GS = - 3.0V
V GS = - 2.8V
4
2
V GS = - 2.8V
4
2
T a = 25oC
V GS = - 2.4V
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
2
4
6
8
10
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRH140P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 |
| RRL025P03TR | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 |
| RRQ030P03TR | MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6 |
| RRQ045P03TR | MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| RRR015P03TL | MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| RRH140P03TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| RRH140P03TB1 | 功能描述:MOSFET Pch -30V -14A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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