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参数资料
| 型号： | RRH140P03TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRH140P03TB1DKR |
RRH140P03
l Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
P W = 100μs
80
10
P W = 1ms
P W = 10ms
60
40
1
Operation in this area
is limited by R DS (on)
( V GS = 10V )
DC Operation
20
0.1
T a =25oC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
(30mm × 30mm × 0.8mm)
1
10
100
Junction Temperature : Tj [ ° C]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
T a =25oC
Single Pulse
1
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.4 Single Pulse Maxmum Power dissipation
10000
T a =25oC
Single Pulse
1000
0.1
top D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
bottom Signle
100
0.01
0.001
0.0001
0.01
Rth(ch-a)=62.5oC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t) × Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
1 100
10
1
0.0001
0.01
1
100
Pulse Width : P W [s]
Pulse Width : P W [s]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRL025P03TR | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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