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参数资料
| 型号： | RRH140P03TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRH140P03TB1DKR |
RRH140P03
l Electrical characteristic curves
Fig.5 Avalanche Current vs Inductive Load
100
Data Sheet
Fig.6 Avalanche Energy Derating Curve
vs Junction Temperature
120%
10
1
Starting T ch =25oC
V DD = - 15V
V GS = - 10V
R G =10 W
100%
80%
60%
40%
20%
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0%
0
25
50
75
100
125
150
175
Coil Inductance : L [mH]
Fig.7 Typical Output Characteristics(I)
20
Junction Temperature : T j [oC]
Fig.8 Typical Output Characteristics(II)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
T a = 25oC
V GS = - 10V
V GS = - 4.5V
V GS = - 4.0V
V GS = - 3.0 V
V GS = - 2.6 V
V GS = - 2.4 V
V GS = - 2.2 V
18
16
14
12
10
8
6
4
2
T a = 25oC
V GS = - 10V
V GS = - 4.5V
V GS = - 4.0V
V GS = - 2.6V
V GS = - 2.4V
V GS = - 2.2V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRL025P03TR | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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