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参数资料
| 型号： | RSA12LTE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS DIODE 600W 12V UNI SOD-106 |
| 产品目录绘图： | SOD-106 Side SOD-106 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.3V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2366 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSA12LTE25DKR |
RSA12L
Diodes
Electrical characteristic curves (Ta=25 ° C)
10
Ta=75℃
Ta=150℃
10000
1000
Ta=150℃ Ta=125℃
10
f=1MHz
1
Ta=25℃
Ta=125℃
100
Ta=75℃
0.1
0.01
Ta=-25℃
10
1
0.1
Ta=25℃
Ta=-25℃
1
0.01
0.001
11
12
13
14
15
16
17
18
19
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
14.5
ZENER VOLTAGE:Vz(V)
Vz-Iz CHARACTERISTICS
1
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
2
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
14.4
Ta=25℃
IZ=1mA
n=30pcs
0.9
0.8
0.7
Ta=25℃
VR=12V
n=30pcs
1.9
1.8
1.7
AVE:1.856nF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
14.3
0.6
0.5
1.6
1.5
14.2
14.1
AVE:14.24V
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE:0.81nA
1.4
1.3
1.2
1.1
14
Vz DISRESION MAP
0
IR DISRESION MAP
Mounted on epoxy board
1
Ct DISRESION MAP
10000
1000
IM=10mA
IF=0.5A
30
1000
100
1ms time
300us
Rth(j-a)
25
20
No break at 30kV
No break at 30kV
100
10
Rth(j-c)
15
10
10
1
5
1
0.1
1
ZENER CURRENT(mA)
Zz-Iz CHARACTERISTICS
10
0.1
0.001
0.01 0.1 1 10 100
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
1000
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD DISPERSION MAP
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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