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参数资料
| 型号： | RSA12MGTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS DIODE 200W 12V UNI SOD-123 |
| 产品目录绘图： | SOD-123 Side SOD-123 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.3V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2366 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSA12MGDKR |
RSA12M
Diodes
ESD Protection Device (TVS)
RSA12M
Applications
Dimensions (Unit : mm)
Land size figure (Unit : mm)
ESD Protection
Features
1) Small power mold type. (PMDU)
2) High reliability
Construction
Silicon epitaxial planar
Structure
Taping dimensions (Unit : mm)
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Parameter
Peak pulse power(tp=10×1000us)
Stand off power
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Ppk
V RMN
Tj
Tstg
Limits
200
12
150
-55 to +150
Unit
W
V
Electrical characteristic (Ta=25 C)
Parameter
Breakdown voltage
Clamping voltage
Reverse current
Symbol
VBR
VC
IR
Min.
13.3
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
14.7
19.9
2.5
Unit
V
V
uA
Conditions
I R =1.0mA
I pp =10.1A
V RMN =12.0V
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PDF描述 |
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