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参数资料
| 型号： | RSA5LTE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS DIODE 600W 5V UNI SOD-106 |
| 产品目录绘图： | SOD-106 Side SOD-106 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5.8V |
| 电压 - 击穿： | 6.45V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2366 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSA5LTE25DKR |
RSA5L
Diodes
ESD Protection Devices (TVS)
RSA5L
0.1 ± 0.1
Description
RSA5L is small but high-power device encapsulated
in PMDS (4.5x2.6mm) package and
is high ESD-resisant device, suitable for
surge protection circuit in all appliances like consumer
electronics and automotive application.
Features
1) Small, power mold type. （ PMDS)
2) High reliability.
Dimentions (Unit : mm)
1.5 ± 0.2
CATHODE MARK
0.02
2.6 ± 0.2
2.0 ± 0.2
Marking:
5L83
Production year,month(EX.2008,03
83)
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
Structure
Type name(EX. RSA5L
5L)
Parameter
Peak pulse power （ tp=10×1000μs)
Stand-off voltage
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Ppk
V RWM
Tj
Tstg
Limits
600
5.8
150
-55 to +150
Unit
W
V
℃
℃
Electrical characteristic (Ta=25 ° C)
Parameter
Breakdown voltage
Clamping voltage
Reverse current
Symbol
VBR
VC 10/1000μS
IR
Min.
6.45
-
-
Max.
7.14
10.5
800
Unit
V
V
μA
Conditions
I T =10mA
Ipp=57A
V RW M =5.8V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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