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参数资料
| 型号： | RSB12JS2T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ZENER ESD PROT EMD6 |
| 产品目录绘图： | RSB12JS2T2R Pin Out RSB12JS2T2R Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 9V |
| 电压 - 击穿： | 9.6V |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMD6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2366 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSB12JS2T2RDKR |
Data Sheet
Low Capacitance Protection Device
RSB12JS2
? Applications
ESD Protection
? Dimensions （ Unit : mm ）
1.6±0.1
0.22±0.05
0.13±0.05
? Land size figure (Unit : mm)
1.0
0.5
0.5
? Features
1) Ultra small mold type. (EMD6)
(6)
(5)
(4)
0.25 0.15
0.3
0.15 0.25
2) Low capacitance
3) Bi direction
0 ～0.1
0.4
(1)
(2)
(3)
EMD6
? Construction
Silicon Epitaxial Planar
0.5
1.0±0.1
0.5
0.5±0.05
? Structure
(6) (5) (4)
ROHM : EMD6
JEITA : SC-75A Size
dot (year week factory)
(1) (2) (3)
? Please make 3 and 6 Pin open in circuit upon use.
? Taping specifications （ Unit : mm ）
φ 1.5 ? 0
4.0 ± 0.1 2.0 ± 0.05
+ 0.1
0.3 ± 0.1
1.7 ± 0.05
1PIN 4.0 ± 0.1
φ 0.8 ± 0.1
0.65 ± 0.1
? Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
P
Tj
Tstg
Limits
150
150
? 55 to ? 150
Unit
mW
°C
°C
? Electrical characteristic (Ta=25°C) ( ?? Rating of per diode)
Parameter
Symbol Min. Typ.
Max.
Unit
Conditions
Zener voltage
Reverse current
V Z
I R
9.6 -
- -
14.4
0.10
V
μ A
I Z =5mA
V R =9V
Capacitance between terminals
C t
-
1
-
pF
f=1MHz,V R =0V
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/2
2011.04 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSB12WTL | DIODE ZENER LOW CAP 150MW EMD3 |
| RSB16F2T106 | DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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