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参数资料
| 型号： | RSA5MGTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS DIODE 200W 5V UNI SOD-123 |
| 产品目录绘图： | SOD-123 Side SOD-123 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6.4V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2366 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSA5MGDKR |
RSA5M
Diodes
ESD Protection Device (TVS)
RSA5M
Applications
ESD Protection
Dimensions (Unit : mm)
0.1±0.1
Land size figure (Unit : mm)
Features
1) Small power mold type. (PMDU)
2) High reliability
Construction
1.6±0.1
0.05
PMDU
1.2
Silicon epitaxial planar
0.9±0.1
ROHM : PMDU
JEDEC :SOD-123
0.8±0.1
Structure
Manufacture Date
Taping dimensions (Unit : mm)
4.0±0.1
1.81±0.1
2.0±0.05
4.0±0.1
φ1.55±0.05
φ1.0±0.1
0.25±0.05
1.5MAX
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
Parameter
Peak pulse power(tp=10×1000us)
Stand off power
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Ppk
V RMN
Tj
Tstg
Limits
200
5
150
-55 to +150
Unit
W
V
℃
℃
Electrical characteristic (Ta=25 ° C)
Parameter
Breakdown voltage
Clamping voltage
Reverse current
Symbol
VBR
VC
IR
Min.
6.4
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
7.0
9.2
400
Unit
V
V
uA
Conditions
I R =10.0mA
I pp =21.7A
V RMN =5.0V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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