参数资料
型号: RSA5MGTR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 0K
描述: TVS DIODE 200W 5V UNI SOD-123
产品目录绘图: SOD-123 Side
SOD-123
标准包装: 1
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6.4V
功率(瓦特): 200W
电极标记: 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123
供应商设备封装: SOD-123
包装: 标准包装
产品目录页面: 2366 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RSA5MGDKR
RSA5M
Diodes
Electrical characteristic curves
10
Ta=75℃
Ta=125℃
10000
10
f=1MHz
Ta=25℃
1
Ta=-25℃
Ta=150℃
1000
Ta=75℃
1
Ta=125℃
0.1
0.01
100
10
Ta=150℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.1
0.001
1
0.01
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
7.0
ZENER VOLTAGE:Vz(V)
Vz-Iz CHARACTERISTICS
1000
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
0.8
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
6.8
Ta=25℃
IZ=10mA
n=30pcs
800
Ta=25℃
VR=5V
n=30pcs
0.7
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
6.6
600
0.6
6.4
400
AVE:0.661nF
6.2
AVE:6.58V
200
AVE:487nA
0.5
6.0
Vz DISRESION MAP
0
IR DISRESION MAP
Mounted on epoxy bord
0.4
Ct DISRESION MAP
1000
IM=10mA
IF=0.5A
30
1ms
time
Rth(j-a)
25
No break at 30kV
No break at 30kV
100
10
300us
Rth(j-c)
20
15
10
1
5
0.1
0.001
0.1
TIME:t(s)
10
1000
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
Rth-t CHARACTERISTICS
ESD DISPERSION MAP
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