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参数资料
| 型号： | RSA5MGTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS DIODE 200W 5V UNI SOD-123 |
| 产品目录绘图： | SOD-123 Side SOD-123 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6.4V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2366 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSA5MGDKR |
RSA5M
Diodes
Electrical characteristic curves
10
Ta=75℃
Ta=125℃
10000
10
f=1MHz
Ta=25℃
1
Ta=-25℃
Ta=150℃
1000
Ta=75℃
1
Ta=125℃
0.1
0.01
100
10
Ta=150℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.1
0.001
1
0.01
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
7.0
ZENER VOLTAGE:Vz(V)
Vz-Iz CHARACTERISTICS
1000
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
0.8
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
6.8
Ta=25℃
IZ=10mA
n=30pcs
800
Ta=25℃
VR=5V
n=30pcs
0.7
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
6.6
600
0.6
6.4
400
AVE:0.661nF
6.2
AVE:6.58V
200
AVE:487nA
0.5
6.0
Vz DISRESION MAP
0
IR DISRESION MAP
Mounted on epoxy bord
0.4
Ct DISRESION MAP
1000
IM=10mA
IF=0.5A
30
1ms
time
Rth(j-a)
25
No break at 30kV
No break at 30kV
100
10
300us
Rth(j-c)
20
15
10
1
5
0.1
0.001
0.1
TIME:t(s)
10
1000
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
Rth-t CHARACTERISTICS
ESD DISPERSION MAP
2/2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RSA6.1J4 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:ESD Protection diode |
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