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参数资料
| 型号： | RSF014N03TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 |
| 产品目录绘图： | TUMT-3 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSF014N03TLDKR |
RSF014N03
Transistors
1000
Ta = 25 ° C
Pulsed
V GS =4V
V GS =4.5V
V GS =10V
100
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.10 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Drain Current ( Ι )
Rev.B
4/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| RSQ045N03TR | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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