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参数资料
| 型号： | RSR025N03TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| 产品目录绘图： | RxR0 Series TSMT-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 165pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSR025N03TLDKR |
RSR025N03
Transistors
Electrical characteristic curves
I D = 2.5A
R G = 10 ?
1000
Ta = 25 ° C
f = 1MHz
V GS = 0V
1000
100
t f
Ta = 25 ° C
V DD = 15V
V GS = 10V
R G = 10 ?
Pulsed
10
Ta = 25 ° C
9 V DD = 15V
8
7 Pulsed
C iss
6
100
C oss
C rss
10
t d (off)
t d (on)
t r
5
4
3
2
1
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
5
6
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
V DS = 10V
500
Ta = 25 ° C
10
V GS = 0V
1
0.1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
Pulsed
400
300
I D = 2.5A
I D = 1.25A
Pulsed
1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
Pulsed
200
0.1
0.01
100
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
2
4
6
8
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V GS = 10V
Pulsed
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V GS = 4.5V
Pulsed
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V GS = 4V
Pulsed
100
10
100
10
100
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
Rev.C
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| RSR025N05TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| RSR025P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOS FET |
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| RSR-02-B | 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:SLIDE TYPE DIP SWITCH |
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