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参数资料
| 型号： | RTF015N03TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3 |
| 产品目录绘图： | TUMT-3 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTF015N03TLDKR |
RTF015N03
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
156
391
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = 1mA
Min.
30
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D =1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
30
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = 12V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D =1mA
referenced to 25°C
-
-
0.5
-
-
-
-
- 2.3
1
10
1.5
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS =4.5V, I D =1.5A
-
170
240
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on)
*5
V GS =4V, I D =1.5A
V GS =2.5V, I D =1.5A
-
-
180
240
250
340
m W
V GS =4.5V, I D =1.5A, T j =125°C
-
270
380
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS =10V, I D =1.5A
-
1.5
17
2.6
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a seramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (15×20×0.8mm)
*5 Pulsed
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2013.02 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTF015P02TL | MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3 |
| RTF020P02TL | MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3 |
| RTF025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 |
| RTL030P02TR | MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 |
| RTL035N03TR | MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RTF015P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:DC-DC Converter (−20V, −1.5A) |
| RTF015P02TL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTF016N05 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
| RTF016N05TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 45V 1.6A 3-Pin TUMT T/R |
| RTF020P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:DC-DC Converter (-20V, -2.0A) |
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