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参数资料
| 型号： | RTF020P02TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3 |
| 产品目录绘图： | TUMT-3 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTF020P02TLDKR |
RTF020P02
Transistors
2.5V Drive Pch MOSFET
RTF020P02
Structure
Silicon P-channel
MOSFET
Features
1) Low on-resistance. (120m ? at 2.5V)
2) High power package.
3) High speed switching.
4) Low voltage drive. (2.5V)
Dimensions (Unit : mm)
TUMT3
(1) Gate
Applications
DC-DC converter
(2) Source
(3) Drain
Abbreviated symbol : WM
Packaging specifications
Equivalent circuit
Package
Taping
(3)
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
TL
3000
RTF020P02
(1)
? 1
? 2
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
(2)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 20
± 12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S ? 1
I SP
± 2.0
± 8
? 0.6
? 8
A
A
A
A
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
0.8
150
? 55 to + 150
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
156
Unit
° C / W
? Mounted on a ceramic board.
Rev.C
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTF025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 |
| RTL030P02TR | MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 |
| RTL035N03TR | MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 |
| RTQ020N03TR | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 |
| RTQ020N05TR | MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RTF025N03 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch,Vdss=30V,Id=2.5A,TUMT3 |
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