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参数资料
| 型号： | RTF020P02TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3 |
| 产品目录绘图： | TUMT-3 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTF020P02TLDKR |
RTF020P02
Transistors
Measurement circuits
Pulse Width
V GS
I D
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R L
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
tf
t on
t off
Fig.10 Switching Time Measurement Circuit
Fig.11 Switching Waveforms
V G
I G(Const.)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.12 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.13 Gate Charge Waveforms
Rev.C
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTF025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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