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参数资料
| 型号： | RTF015P02TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3 |
| 产品目录绘图： | TUMT-3 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 560pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTF015P02TLDKR |
RTF015P02
Transistors
Electrical characteristic curves
10
V DS = ? 10V
1000
Ta = 25 ° C
1000
V GS = ? 4.5V
1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
Pulsed
V GS = ? 2.5V
V GS = ? 4.0V
V GS = ? 4.5V
Pulsed
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
Pulsed
0.1
0.01
100
100
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V GS = ? 4V
Pulsed
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V GS = ? 2.5V
Pulsed
10
1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V GS = 0V
Pulsed
100
100
0.1
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : ? V SD (V)
Fig.6 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage
10000
1000
Ta = 25 ° C
f = 1MHz
V GS = 0V
10000
1000
t f
Ta = 25 ° C
V DD = ? 15V
V GS = ? 4.5A
R G = 10 ?
Pulsed
8
7
6
5
Ta = 25 ° C
V DD = ? 15V
I D = ? 1.5A
R G = 10 ?
Pulsed
C iss
100
t d (off)
4
100
C oss
C rss
10
t d (on)
t r
3
2
1
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS (V)
Fig.7 Typical Capacitance
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.8 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
vs. Drain-Source Voltage
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RTF025N03 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch,Vdss=30V,Id=2.5A,TUMT3 |
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