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参数资料
| 型号： | RTQ020N05TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RTQ020N05
l Electrical characteristic curves
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Data Sheet
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
250
T a =25oC
Pulsed
200
150
V GS = 4.5V
I D = 2.0A
Pulsed
V GS = 2.5V
100
.
V GS = 4.0V
V GS = 4.5V
100
50
10
0.1
1
10
0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
Drain Current : I D [A]
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)
Junction Temperature : T j [oC]
Fig.16 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(III)
1000
100
V GS = 4.5V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
1000
100
V GS = 4.0V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
Drain Current : I D [A]
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTQ035N03TR | MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 |
| RTQ045N03TR | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| RTR020N05TL | MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 |
| RTR025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| RTR025N05TL | MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RTQ025P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:DC-DC Converter (−20V, −2.5A) |
| RTQ025P02TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTQ030P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:DC-DC Converter (−20V, −3.0A) |
| RTQ030P02TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTQ035N03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOS FET |
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