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参数资料
| 型号： | RTQ045N03TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTQ045N03DKR |
RTQ045N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RTQ045N03
Structure
Silicon N-channel
MOS FET
External dimensions (Unit : mm)
TSMT6
2.9
1.9
0.95 0.95
1.0MAX
0.85
0.7
Features
1) Low on-resistance.
(6)
(5)
(4)
0~0.1
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT6) .
1pin mark
(1)
(2)
0.4
(3)
0.16
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : QM
Application
Power switching, DC / DC converter.
Packaging specifications
Equivalent circuit
Package
Taping
(6)
(5)
(4)
(6)
(5)
(4)
Type
Code
TR
RTQ045N03
Basic ordering unit (pieces)
3000
? 2
? 1
(1)
(2)
(3)
(1) Drain
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
(1)
(2)
(3)
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
12
Unit
V
V
(5) Drain
(6) Drain
? A protection diode is included between the gate and
the source terminals to protect the diode against static
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
? 1
? 1
? 2
± 4.5
± 18
1.0
4.0
1.25
A
A
A
A
W
electricity when the product is in use. Use the protection
circuit when the fixed voltages are exceeded.
Channel temperature
Storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55~+150
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board.
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth (ch-a) ?
Limits
100
Unit
° C / W
? Mounted on a ceramic board.
Rev.C
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTR020N05TL | MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 |
| RTR025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| RTR025N05TL | MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3 |
| RTR030N05TL | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 |
| RTU002P02T106 | MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RTR011P02TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -20V, -1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR020N05 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOS FET |
| RTR020N05TL | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHAN 45V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR020P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching (-20V, -2.0A) |
| RTR020P02TL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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