- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录505 > RTQ045N03TR (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RTQ045N03TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTQ045N03DKR |
RTQ045N03
Transistors
Electrical characteristic curves
I D = 4.5A
R G = 10 ?
1000
C iss
1000
100
t f
t d (off)
Ta = 25 ° C
V DD = 15V
V GS = 4.5V
R G = 10 ?
Pulsed
5
Ta = 25 ° C
4.5 V DD = 15V
4
3.5 Pulsed
3
100
C oss
2.5
C rss
10
t r
t d (on)
2
1.5
V GS = 0V
Ta = 25 ° C
f = 1MHz
10
0.01 0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
1
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
V DS = 10V
100
Ta = 25 ° C
10
V GS = 0V
1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
Pulsed
I D = 2.25A
Pulsed
1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
Pulsed
0.1
50
I D = 4.5A
0.1
0.01
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V GS = 4.5V
Pulsed
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V GS = 4V
Pulsed
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V GS = 2.5V
Pulsed
100
10
100
10
100
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
Rev.C
3/3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTR020N05TL | MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 |
| RTR025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| RTR025N05TL | MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3 |
| RTR030N05TL | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 |
| RTU002P02T106 | MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RTR011P02TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -20V, -1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR020N05 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOS FET |
| RTR020N05TL | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHAN 45V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR020P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching (-20V, -2.0A) |
| RTR020P02TL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。