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参数资料
| 型号： | RTQ045N03TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTQ045N03DKR |
RTQ045N03
Transistors
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 12V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
30
?
?
V
I D = 1mA, V GS = 0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
?
0.5
?
?
?
?
?
30
32
42
1
1.5
43
45
60
μ A
V
m ?
V DS = 30V, V GS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 4.5A, V GS = 4.5V
I D = 4.5A, V GS = 4V
I D = 4.5A, V GS = 2.5V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
?
?
?
?
?
?
?
?
4.5
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
540
150
100
13
31
45
30
7.6
1.2
2.7
?
?
?
?
?
?
?
?
10.7
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I D = 4.5A, V DS = 10V
V DS = 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
I D = 2.25A, V DD 15V
V GS = 4.5V
R L = 6.67 ?
R G = 10 ?
V DD 15V
V GS = 4.5V
I D = 4.5A
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 4A, V GS = 0V
? Pulsed
Rev.C
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