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参数资料
| 型号： | RTR025N05TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3 |
| 产品目录绘图： | RxR0 Series TSMT-3 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTR025N05TLDKR |
RTR025N05
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Data Sheet
Parameter Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Gate-source leakage
I GSS
?
?
± 10
μ A
V GS = ± 12V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
45
?
?
V
I D = 1mA, V GS =0V
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
Y fs
C iss
C oss
?
0.5
?
?
?
2.0
?
?
?
?
95
100
125
?
250
60
1
1.5
130
140
175
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
V DS = 45V, V GS =0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 2.5A, V GS = 4.5V
I D = 2.5A, V GS = 4V
I D = 2.5A, V GS = 2.5V
V DS = 10V, I D = 2.5A
V DS = 10V
V GS = 0V
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
30
9
15
20
14
3.2
0.9
0.7
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
f=1MHz
V DD 25V
I D = 1.2A
V GS = 4.5V
R L 20.8 ?
R G =10 ?
V DD 25V
I D = 2.5A
V GS = 4.5V
R L 10 ?
R G =10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 2.5A, V GS =0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTR030N05TL | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 |
| RTU002P02T106 | MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323 |
| RUE002N02TL | MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 |
| RUE003N02TL | MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 |
| RUF015N02TL | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RTR025P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching (−20V, −2.5A) |
| RTR025P02TL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR030N05 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
| RTR030N05TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR030P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching (-20V, -3.0A) |
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