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参数资料
| 型号： | RTU002P02T106 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323 |
| 产品目录绘图： | xT106 Series SOT-323 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 250mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | UMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTU002P02T106DKR |
RU1E002SP
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS = ? 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
? 30
-
-
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
I DSS
V GS (th)
R DS (on) *
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
-
? 1
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
1.4
1.6
-
30
10
5
4
6
20
23
? 1
? 2.5
1.4
2.1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
? A
V
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = ? 30V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 0.25A, V GS = ? 10 V
I D = ? 0.15A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 0.15A, V GS = ? 4V
V DS = ? 10V, I D = ? 0.15A
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD ? 15V, I D = ? 0.15A
V GS = ? 10V
R L =100 ?
R G =10 ?
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I s = ? 0.1A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.08 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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