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参数资料
| 型号： | RTU002P02T106 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323 |
| 产品目录绘图： | xT106 Series SOT-323 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 250mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | UMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTU002P02T106DKR |
RU1E002SP
Fig.7 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
1
V DS = - 10V
pulsed
1
Data Sheet
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
V DS = - 10V
pulsed
0.1
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
0.1
0.01
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
0.01
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1
Drain Current : - I D [A]
Fig.9 Source Current vs. Source-Drain Voltage
V GS =0V
pulsed
Gate-Source Voltage : - V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
5000
T a =25 ° C
pulsed
4000
I D = - 0.15A
0.1
3000
I D = - 0.25A
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
2000
1000
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0
2
4
6
8
10
1000
Source-Drain Voltage : -V SD [V]
Fig.11 Switching Characteristics
1000
Gate-Source Voltage : - V GS [V]
Fig.12 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
100
10
t f
t d(off)
V DD ≒ - 15V
V GS = - 10V
R G =10Ω
T a =25 ° C
Pulsed
100
10
T a =25 ° C
f=1MHz
V GS =0V
C iss
C oss
t d(on)
t r
C rss
1
0.01
0.1
1
1
0.01
0.1
1
10
100
Drain Current : - I D [A]
Drain-Source Voltage : - V DS [V]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.08 - Rev.A
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