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参数资料
| 型号： | RZF020P01TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1.5V Drive Pch MOSFET
RZF020P01
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small and Surface Mount Package (TUMT3).
4) Low voltage drive (1.5V).
Dimensions (Unit : mm)
TUMT3
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Abbreviated symbol : ZE
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
(3)
Type
RZF020P01
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TL
3000
(1)
? 1
(2)
? 2
(1) Gate
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(2) Source
(3) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 12
± 10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
? 1
? 1
? 2
± 2
± 6
? 0.6
? 6
0.8
A
A
A
A
W
Channel temperature
Range of Storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to + 150
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 When mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth (ch-a) ?
Limits
156
Unit
° C / W
? When mounted on a ceramic board.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.05 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RZF030P01TL | MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3 |
| RZM002P02T2L | MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT6 |
| RZQ045P01TR | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 |
| RZQ050P01TR | MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 |
| RZR020P01TL | MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RZF030P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZF030P01TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZG.3N.306.TLLY11 | 制造商:LEMO connectors 功能描述: |
| RZH1-1A3-D012 | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Power PCB Relay RZ |
| RZH1-1A3-D012W | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Power PCB Relay RZ |
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