- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录505 > RZQ045P01TR (Rohm Semiconductor)MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RZQ045P01TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2450pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RZQ045P01DKR |
RZQ045P01
Transistors
1.5V Drive Pch MOSFET
RZQ045P01
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TSMT6
2.9
1.0MAX
Features
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
1) Low on-resistance.
2) High power package.
(6)
(5)
(4)
0~0.1
3) Low voltage drive. (1.5V)
(1)
(2)
(3)
1pin mark
0.4
0.16
Each lead has same dimensions
Applications
Switching
Packaging specifications
Abbreviated symbol : YG
Equivalent circuit
Type
RZQ045P01
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(6)
(5)
? 2
(4)
? 1
(1) Drain
(2) Drain
(1)
(2)
(3)
(3) Gate
(4) Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Drain
(6) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 12
± 10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
Tch
Tstg
? 1
? 1
? 2
± 4.5
± 12
? 1
? 12
1.25
150
? 55 to + 150
A
A
A
A
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
100
Unit
° C / W
? Mounted on a ceramic board.
1/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RZQ050P01TR | MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 |
| RZR020P01TL | MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 |
| RZR040P01TL | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 |
| S21S180D15JN | SENSOR CURRENT |
| S22P006S05M2 | SENSOR CURRENT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RZQ050P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZQ050P01TR | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR020P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZR020P01TL | 功能描述:MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR025P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。