参数资料
型号: RZQ045P01TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
产品目录绘图: TSMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫欧 @ 4.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2450pF @ 6V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RZQ045P01DKR
RZQ045P01
Transistors
Measurement circuits
Pulse Width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
tr
t d(off)
90%
tf
t on
t off
Fig.15 Switching Time Measurement Circuit
V G
Fig.16 Switching Waveforms
I G(Const)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.17 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.18 Gate Charge Waveform
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment .
Please consider to design ESD protection circuit.
5/5
相关PDF资料
PDF描述
RZQ050P01TR MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
RZR020P01TL MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
RZR040P01TL MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
S21S180D15JN SENSOR CURRENT
S22P006S05M2 SENSOR CURRENT
相关代理商/技术参数
参数描述
RZQ050P01 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET
RZQ050P01TR 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RZR020P01 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET
RZR020P01TL 功能描述:MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RZR025P01 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET