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参数资料
| 型号： | RZQ045P01TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2450pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RZQ045P01DKR |
RZQ045P01
Transistors
Electrical characteristic curves
10
10
10
8
-10V
-4.5V
Ta=25 ℃
Pulsed
8
-10V
-1.6V
Ta=25 ℃
Pulsed
Ta=125 ℃
-2.5V
-1.5V
1
Ta= 75 ℃
6
-1.8V
-1.5V
-1.4V
6
1.4V
-1.3V
0.1
Ta= 25 ℃
Ta= -25 ℃
4
4
2
-1.3V
V GS =-1.2V
2
-1.2V
V GS =-1.1V
0.01
V DS = -6V
Pulsed
0
0
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1000
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.1 Typical Output Characteristics(Ⅰ)
1000
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.2 Typical Output Characteristics(Ⅱ)
1000
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
100
10
Ta=25 ℃
Pulsed
V GS =-1.5V
100
10
V GS = -4.5V
Pulsed
Ta=125 ℃
Ta= 75 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= -25 ℃
100
10
V GS = -2.5V
Pulsed
Ta=125 ℃
Ta= 75 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= -25 ℃
V GS =-1.8V
V GS =-2.5V
V GS =-4.5V
1
1
1
0.1
1
10
0.1
1
10
0.1
1
10
1000
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅰ)
V GS = -1.8V
Pulsed
1000
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅱ)
V GS = -1.5V
Pulsed
100
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅲ)
V GS =0V
Pulsed
100
100
10
Ta=125 ℃
Ta= 75 ℃
10
Ta=125 ℃
Ta= 75 ℃
Ta= 25 ℃
10
Ta =125 ℃
Ta =75 ℃
Ta =25 ℃
Ta =-25 ℃
1
0.1
Ta= 25 ℃
Ta= -25 ℃
Ta= -25 ℃
1
1
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.8 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅴ)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.9 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
3/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RZQ050P01TR | MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 |
| RZR020P01TL | MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 |
| RZR040P01TL | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 |
| S21S180D15JN | SENSOR CURRENT |
| S22P006S05M2 | SENSOR CURRENT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RZQ050P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZQ050P01TR | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR020P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZR020P01TL | 功能描述:MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR025P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
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