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参数资料
| 型号： | RZQ045P01TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2450pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RZQ045P01DKR |
RZQ045P01
Transistors
80
100
4.5
60
Ta=25 ℃
Pulsed
10
V DS =-6V
Pulsed
4
3.5
Ta=25 ℃
V DD = -6V
I D = -4.5A
I D = -2.2A
3
R G =10 ?
40
I D = -4.5A
1
Ta= -25 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= 75 ℃
2.5
2
Pulsed
Ta= 125 ℃
1.5
20
0
0.1
0.01
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
30
35
10000
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate-Source Voltage
Ta=25°C
100000
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.11 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Ta=25°C
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
Ciss
f=1MHz
V GS =0V
10000
td(off)
V DD = -6V
V GS =-4.5V
R G =10 ?
1000
100
Crss
Coss
1000
100
10
1
tr
tf
Pulsed
td(on)
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.14 Switching Characteristics
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RZQ050P01TR | MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 |
| RZR020P01TL | MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 |
| RZR040P01TL | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 |
| S21S180D15JN | SENSOR CURRENT |
| S22P006S05M2 | SENSOR CURRENT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RZQ050P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZQ050P01TR | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR020P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZR020P01TL | 功能描述:MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR025P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
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