- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录505 > RZQ050P01TR (Rohm Semiconductor)MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RZQ050P01TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2850pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RZQ050P01DKR |
RZQ050P01
l Electrical characteristic curves
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)
Data Sheet
Fig.16 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(III)
1000
100
V GS = - 4.5V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
1000
100
V GS = - 2.5V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
10
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
Drain Current : -I D [A]
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)
Drain Current : -I D [A]
Fig.18 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(V)
1000
100
V GS = - 1.8V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
1000
100
V GS = - 1.5V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
10
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
Drain Current : -I D [A]
Drain Current : -I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
8/11
2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RZR020P01TL | MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 |
| RZR040P01TL | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 |
| S21S180D15JN | SENSOR CURRENT |
| S22P006S05M2 | SENSOR CURRENT |
| S23P50/100D15M1 | SENSOR CURRENT +/-50A/100A 15V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RZR020P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZR020P01TL | 功能描述:MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR025P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZR025P01TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR040P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。