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参数资料
| 型号： | RZQ050P01TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2850pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RZQ050P01DKR |
RZQ050P01
l Electrical characteristic curves
Fig.19 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
10000
Fig.20 Switching Characteristics
100000
Data Sheet
C iss
10000
t f
T a = 25oC
V DD = - 6.0V
V GS = - 4.5V
R GS = 10 W
Pulsed
1000
1000
100
t d(off)
t r
C oss
100
T a = 25oC
f = 1MHz
V GS = 0V
0.01 0.1
1
C rss
10
100
10
1
0.01
0.1
t d(on)
1
10
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.21 Dynamic Input Characteristics
Drain Current : -I D [A]
Fig.22 Source Current
vs. Source Drain Voltage
5
4
3
2
T a =25oC
V DD = - 6.0V
I D = - 5.0A
R G =10 W
Pulsed
10
1
0.1
V GS =0V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Total Gate Charge : Q g [nC]
Source-Drain Voltage : -V SD [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RZR020P01TL | MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 |
| RZR040P01TL | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 |
| S21S180D15JN | SENSOR CURRENT |
| S22P006S05M2 | SENSOR CURRENT |
| S23P50/100D15M1 | SENSOR CURRENT +/-50A/100A 15V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RZR020P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZR020P01TL | 功能描述:MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR025P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RZR025P01TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RZR040P01 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
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