参数资料
型号: S-80834CNNB-B8T-T2
元件分类: 电源管理
英文描述: 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO4
封装: SC-82-AB, 4 PIN
文件页数: 17/54页
文件大小: 724K
代理商: S-80834CNNB-B8T-T2
ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-808xxC Series
Rev.3.2_00
24
Seiko Instruments Inc.
Electrical Characteristics for Customized Products
1. S-80824KNUA-D2B-T2, S-80824KNY-x
Table 18
(Ta
=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test
circuit
Detection voltage
*1
VDET
2.295
2.400
*2
2.505
V
1
Release voltage
+VDET
4.300
4.400
4.500
Current consumption
ISS
VDD
=6.0 V
0.8
2.4
A
2
Operating voltage
VDD
0.95
10.0
V
1
Output current
IOUT
VDD
=0.95 V 0.03
0.24
mA
3
Output transistor,
Nch, VDS
=0.5 V
VDD
=1.2 V 0.23
0.50
Leakage current
ILEAK
Output transistor,
Nch, VDD
=10.0 V, VDS=10.0 V
0.1
A
Response time
tPLH
60
s
1
Detection voltage
temperature
coefficient
*3
DET
V
Ta
V
Ta
=40°C to 85°C
±100
±350
ppm/°C
*1.
VDET: Actual detection voltage value
*2.
Specified detection voltage value (
VDET(S))
*3.
The temperature change ratio in the detection voltage [mV/°C] is calculated by using the following equation.
[]
()
[]
[] 1000
C
ppm/
V
Ta
V
Typ.
V
C
mV/
Ta
V
DET
DET(S)
DET
÷
°
×
=
°
3
*
2
*
*1
*1.
Temperature change ratio of the detection voltage
*2.
Specified detection voltage
*3.
Detection voltage temperature coefficient
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