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参数资料
型号： S-80834CNNB-B8T-T2
元件分类： 电源管理
英文描述： 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO4
封装： SC-82-AB, 4 PIN
文件页数： 6/54页
文件大小： 724K
代理商： S-80834CNNB-B8T-T2
ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-808xxC Series
Rev.3.2_00
14
Seiko Instruments Inc.
Electrical Characteristics
1. Nch Open-drain Output Products
1-1. Detection Voltage Typ.1.4 V or Less Products
Table 14
(Ta
=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test
circuit
Detection voltage
*1
VDET
VDET(S)
×0.98
VDET(S) VDET(S)
×1.02
V
1
Release voltage
+VDET
S-80808 0.802
0.834
0.867
S-80809 0.910
0.944
0.979
S-80810 1.017
1.054
1.091
S-80811 1.125
1.164
1.203
S-80812 1.232
1.273
1.315
S-80813 1.340
1.383
1.427
S-80814 1.448
1.493
1.538
Hysteresis width
VHYS
S-80808 0.018
0.034
0.051
S-80809 0.028
0.044
0.061
S-80810 0.037
0.054
0.071
S-80811 0.047
0.064
0.081
S-80812 0.056
0.073
0.091
S-80813 0.066
0.083
0.101
S-80814 0.076
0.093
0.110
Current consumption
ISS
VDD
=1.5 V
S-80808 to 09
1.3
3.5
A
2
VDD
=2.0 V
S-80810 to 14
1.3
3.5
Operating voltage
VDD
0.65
5.0
V
1
Output current
IOUT
Output transistor,
Nch, VDS
=0.5 V, VDD=0.7 V
0.04
0.2
mA
3
Leakage current
ILEAK
Output transistor,
Nch, VDS
=5.0 V, VDD=5.0 V
60
nA
Response time
tPLH
60
s
1
Detection voltage
temperature
coefficient
*2
DET
V
Ta
V
Ta
=40 °C to +85 °C
±100
±350
ppm/
°C
*1.
VDET: Actual detection voltage value, VDET(S): Specified detection voltage value (The center value of the
detection voltage range in Table 1 to 2.)
*2.
The temperature change ratio in the detection voltage [mV/°C] is calculated by using the following equation.
[]
()
[]
[] 1000
C
ppm/
V
Ta
V
Typ.
V
C
mV/
Ta
V
DET
DET(S)
DET
÷
°
×
=
°
3
*
2
*
*1
*1.
Temperature change ratio of the detection voltage
*2.
Specified detection voltage
*3.
Detection voltage temperature coefficient
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