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STL128DN

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  • STL128DN
    STL128DN

    STL128DN

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STL128DNFP
    STL128DNFP

    STL128DNFP

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • TO-220FP

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

  • STL128DN
    STL128DN

    STL128DN

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-252

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  • STL128DN
    STL128DN

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-83789203多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO220 Type E

  • ST

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • High voltage fast-switching NPN power transistor
STL128DN 技术参数
  • STL128DFP 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 700mA,3.5A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 2A,5V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STL128D 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 700mA,3.5A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 2A,5V 功率 - 最大值:65W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STL120N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 毫欧 @ 11.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4570pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL120N4LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4260pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL120N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F6 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3700pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6 STL13N60DM2 STL13N60M2 STL13N65M2 STL13NM60N STL140N4F7AG STL140N4LLF5 STL140N6F7 STL-1-450-3-01 STL-1-450-8-01 STL150N3LLH5 STL150N3LLH6 STL15DN4F5 STL15N3LLH5 STL15N60M2-EP
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