STW4102IQT全国供应商 STW4102IQT资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STW4102IQT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
ST
原厂原封装
2015+
-
原装正品，假一罚十

STW4102IQT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
STM
系列产品
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

STW4102IQT
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
STMicroelectronics
标准封装
16+
-
假一罚十

STW4102IQT
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
24-QFN（4x4）
18+
-
Battery Battery Moni...

STW4102IQT
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
8753
ST
24-QFN
15+
-
进口原装!现货供应,可开增值税发票.欢迎...

STW4102IQT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2500
ST
标准封装
13+
-
原装正品，现货库存

STW4102IQT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
10001
STMicroelectronics
24-QFN
12+
-
授权分销现货热卖

STW4102IQT
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王俊杰
电话：188185984650755-23763516
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
STMicroelectronics
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

STW4102IQT
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4466
STM
QFN
2202+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STW4102IQT
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：张国龙
电话：177226252410755-21008751
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
STMicroelectronics
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

STW4102IQT
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

STW4102IQT
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
STM
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

STW4102IQT
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
ST
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

1/1页 40条/页共35条
1

您是不是要找： STW42N60M2-EP STW42N65M5 STW43N60DM2 STW43NM50N STW43NM60N STW43NM60ND STW45N60DM2AG STW45N65M5 STW45NM50

STW4102IQT PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STW4102IQT PDF下载

功能描述
电池管理 Dual USB G Gauge Based 13-bit ADC
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
电池类型
Li-Ion
输出电压
5 V
输出电流
4.5 A
工作电源电压
3.9 V to 17 V
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
封装 / 箱体
VQFN-24
封装
Reel

STW4102IQT 技术参数

STW40NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW40N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 38A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3300pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW40N95DK5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DK5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3480pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STW40N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3260pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STW40N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW45NM50FD STW45NM60 STW46NF30 STW47NM60ND STW48N60DM2 STW48N60M2 STW48N60M2-4 STW48NM60N STW4N150 STW5093CYLT STW50N65DM2AG STW50NB20 STW52NK25Z STW54NK30Z STW54NM65ND STW55NM50N STW55NM60N STW55NM60ND