STW56N60DM2全国供应商 STW56N60DM2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STW56N60DM2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6001
ST/意法半导体
TO-247-3
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

STW56N60DM2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO247
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STW56N60DM2
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ST
TO-247
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

STW56N60DM2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STW56N60DM2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
357251
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STW56N60DM2
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
357251
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STW56N60DM2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
357251
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

STW56N60DM2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-247
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 50A
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? DM2
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
60 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
90nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
4100pF @ 100V
功率 - 最大值
360W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
标准包装
30

STW56N60DM2 技术参数

STW5630/JDR18BDR 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules - 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:- 包装:- 零件状态:过期类型:- 颜色:- CCT（K）:- 波长:- 配置:- 通量 @ 电流/温度 -测试:- 电流 - 测试:- 温度 - 测试:- 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 不同测试电流时的流明/瓦:- 电流 - 最大值:- CRI（高显色指数）:- 视角:- 特性:- 大小/尺寸:- 高度:- 发光面（LES）:- 透镜类型:- 标准包装:1 STW55NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW55NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW55NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 54A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:54A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:54 毫欧 @ 27A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW54NM65ND 功能描述:MOSFET N-CH 650V 59A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:188nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6200pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW58N65DM2AG STW5NK100Z STW60N65M5 STW60NE10 STW60NM50N STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2