STW56N65M2-4全国供应商 STW56N65M2-4资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STW56N65M2-4
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-247-4L
18+
-
MOSFET N-CH 650V I2P...

STW56N65M2-4
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STW56N65M2-4
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
480
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STW56N65M2-4
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
8152
ST/意法
TO247
23+
-
原厂原装正品现货

STW56N65M2-4
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
TO-247-4L
17+
-
全新原装现货

STW56N65M2-4
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
3152
STMicroel
TO247
15+
-
原装进口自己现货假一赔十

STW56N65M2-4
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

STW56N65M2-4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
TO247
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STW56N65M2-4
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
587
STMicroelectronics
TO-247-4
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

STW56N65M2-4
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
ST/意法半导体
TO-247-4
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

STW56N65M2-4
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3200
ST
TO-247-4
2216+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STW56N65M2-4
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

STW56N65M2-4
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
36000
ST/意法
TO247
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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您是不是要找： STW56NM60N STW57N65M5 STW57N65M5-4 STW58N60DM2AG STW58N65DM2AG STW5NK100Z STW60N65M5 STW60NE10 STW60NM50N

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功能描述
MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
49A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
62 毫欧 @ 24.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
93nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
3900pF @ 100V
功率 - 最大值
358W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
标准包装
30

STW56N65M2-4 技术参数

STW56N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:62 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3900pF @ 100V 功率 - 最大值:358W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW56N65DM2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW56N60M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-4 供应商器件封装:TO-247-4L 标准包装:30 STW56N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW56N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG STW75N20 STW75NF20