STW56N65M2全国供应商 STW56N65M2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
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封装
批号
价格
说明
操作

STW56N65M2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-247
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STW56N65M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STW56N65M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2470
STMICROEL
管件
1521+
-
全新原装现货

STW56N65M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6005
ST/意法半导体
TO-247-3
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

STW56N65M2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-247
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STW56N65M2
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2500
ST
N/A
N/A
-
国内8号仓库专员13911315253

STW56N65M2-4
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：田女生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
ST/意法半导体
TO-247-4
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 49A TO247
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
49A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
62 毫欧 @ 24.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
93nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
3900pF @ 100V
功率 - 最大值
358W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
标准包装
30

STW56N65M2 技术参数

STW56N65DM2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW56N60M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-4 供应商器件封装:TO-247-4L 标准包装:30 STW56N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW56N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW5630/JDR18BDR 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules - 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:- 包装:- 零件状态:过期类型:- 颜色:- CCT（K）:- 波长:- 配置:- 通量 @ 电流/温度 -测试:- 电流 - 测试:- 温度 - 测试:- 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 不同测试电流时的流明/瓦:- 电流 - 最大值:- CRI（高显色指数）:- 视角:- 特性:- 大小/尺寸:- 高度:- 发光面（LES）:- 透镜类型:- 标准包装:1 STW60NM50N STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG STW75N20