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参数资料
| 型号： | S29GL032A11BFIR31 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 64 MEGABIT 32MEGABIT 3.0 BOLT ONLY PAGE MODE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 64兆位32MEGABIT 3.0螺栓只页面模式闪存 |
| 文件页数： | 81/88页 |
| 文件大小： | 1425K |
| 代理商： | S29GL032A11BFIR31 |
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80
S29GLxxxA MirrorBit Flash Family
S29GLxxxA_00_A2 January 28, 2005
Ad van c e
Inf o rmation
Erase And Programming Performance
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, VCC = 3.0V, 10,000 cycles; checkerboard
data pattern.
2. Under worst case conditions of 90
°C; Worst case VCC, 100,000 cycles.
3. Effective programming time (typ) is 15 s (per word), 7.5 s (per byte).
4. Effective accelerated programming time (typ) is 12.5 s (per word), 6.3 s (per byte).
5. Effective write buffer specification is calculated on a per-word/per-byte basis for a 16-word/32-byte write buffer
operation.
6. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bits are programmed to 00h before erasure.
7. System-level overhead is the time required to execute the command sequence(s) for the program command. See
Parameter
Typ (Note 1)
Max
(Note 2)
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.5
3.5
sec
Excludes 00h
programming
prior to erasure
Chip Erase Time
S29GL032A
32
64
S29GL064A
64
128
240
s
Excludes system
level overhead
Total Accelerated Effective Write Buffer Program Time
(Notes 4, 5)
200
s
Chip Program Time
S29GL032A
31.5
sec
S29GL064A
63
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PDF描述 |
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