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参数资料
| 型号： | S29GL032M10TAIR02 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | MirrorBit Flash Family |
| 中文描述： | 4M X 8 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO40 |
| 封装： | MO-142-EC, TSOP-40 |
| 文件页数： | 50/160页 |
| 文件大小： | 4727K |
| 代理商： | S29GL032M10TAIR02 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页当前第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBitTM Flash Family
143
Pre l i m i n a r y
Erase And Programming Performance
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, VCC = 3.0V, 10,000 cycles; checkerboard data pattern.
2. Under worst case conditions of 90
°C; Worst case VCC, 100,000 cycles.
3. Effective programming time (typ) is 15 s (per word), 7.5 s (per byte).
4. Effective accelerated programming time (typ) is 12.5 s (per word), 6.3 s (per byte).
5. Effective write buffer specification is calculated on a per-word/per-byte basis for a 16-word/32-byte write buffer operation.
6. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bits are programmed to 00h before erasure.
7. System-level overhead is the time required to execute the command sequence(s) for the program command. See Tables 31 and 32 for
further information on command definitions.
Parameter
Typ (Note 1)
Max
(Note 2)
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.5
3.5
sec
Excludes
00h
programm
ing prior to
erasure
Note (6)
Chip Erase Time
S29GL032M
32
64
sec
S29GL064M
64
128
S29GL128M
128
256
S29GL256M
256
512
240
s
Excludes
system
level
overhead
Note (7)
Total Accelerated Effective Write Buffer Program Time Notes (4),
200
s
Chip Program Time
S29GL032M
31.5
sec
S29GL064M
63
S29GL128M
126
S29GL256M
252
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| S29GL032M10TAIR12 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10TAIR13 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10TAIR20 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
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