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参数资料
| 型号： | S71GL064A08 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| 中文描述： | 堆叠式多芯片产品，闪存和RAM |
| 文件页数： | 109/134页 |
| 文件大小： | 2383K |
| 代理商： | S71GL064A08 |
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S71GL064A based MCPs
S71GL064A_00_A2 February 8, 2005
Advance
Info rmation
Erase And Programming Performance
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, VCC = 3.0V, 10,000 cycles; checkerboard data pattern.
2. Under worst case conditions of 90
°C; Worst case VCC, 100,000 cycles.
3. Effective programming time (typ) is 15 s (per word), 7.5 s (per byte).
4. Effective accelerated programming time (typ) is 12.5 s (per word), 6.3 s (per byte).
5. Effective write buffer specification is calculated on a per-word/per-byte basis for a 16-word/32-byte write buffer operation.
6. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bits are programmed to 00h before erasure.
7. System-level overhead is the time required to execute the command sequence(s) for the program command. See Table 10 for further
information on command definitions.
Parameter
Typ (Note 1)
Max
(Note 2)
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.5
3.5
sec
Excludes 00h
programming
prior to erasure
Chip Erase Time
S29GL064A
64
128
Total Write Buffer Program Time (Notes 3, 5)
240
s
Excludes system
level overhead
Total Accelerated Effective Write Buffer Program Time
200
s
Chip Program Time
S29GL064A
63
sec
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PDF描述 |
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