参数资料
型号: S71WS512ND0BAWEH
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
封装: 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
文件页数: 115/214页
文件大小: 3554K
代理商: S71WS512ND0BAWEH
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May 16, 2005 cellram_04_A0
1.8V 128Mb CellularRAM Type 2
199
Advance
Information
1RWHV
1RQGHIDXOW %&5 VHWWLQJV IRU EXUVW :ULWH RSHUDWLRQ LQ IL[HG ODWHQF\ PRGH )L[HG ODWHQF\ ODWHQF\ FRGH WZR WKUHH FORFNV
:DLW DFWLYH/RZ:DLW DVVHUWHG GXULQJ GHOD\EXUVW OHQJWK IRXU EXUVW ZUDS HQDEOHG
:DLWDVVHUWVIRU /& F\FOHVIRU ERWKIL[HGDQGYDULDEOH ODWHQF\ /&
/DWHQF\ &RGH %&5>@
W$6 UHTXLUHGLIW&63 !QV
Figure 32.17
Burst Write Operation – Fixed Latency Mode
Table 32.20
Burst Write Timing Parameters – Fixed Latency Mode
Symbol
Min
Max
Units
Symbol
Min
Max
Units
Symbol
Min
Max
Units
W$6
QV
W&/.
QV
W.+./
QV
W$6
QV
W&63
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W.+7/
QV
W&%3+
QV
W+'
QV
W.3
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W&(0
V
W+=
QV
W63
QV
W&(:
QV
W.$'9
QV
A[22:0]
V
IH
V
IL
ADV#
V
IH
V
IL
CE#
V
IH
V
IL
OE#
V
IH
V
IL
WE#
V
IH
V
IL
Wait
DQ[15:0]
V
OH
V
OL
CLK
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
CLK
t
KP
t
SP
t
AS
3
t
CSP
D[0]
D[3]
D[2]
D[1]
Valid
Address
t
HD
t
SP
t
HD
t
SP
t
HD
t
SP
High-Z
LB#/UB#
V
IH
V
IL
t
SP
t
HD
t
HD
t
KADV
Don't Care
Write Burst Identified
(WE# = Low)
t
CBPH
t
KHTL
t
AS
3
t
HZ
t
CEW
t
KP
t
KHKL
NOTE 2
t
CEM
t
AVH
相关PDF资料
PDF描述
S72NS512PE0AHGL02 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA133
S7911 PIN PHOTO DIODE
S7978 PHOTO DIODE
S7BA-06E1A0 2-OUTPUT 30 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
S8002CPTA-FREQ2 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 27 MHz - 125 MHz, TTL OUTPUT
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参数描述
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