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参数资料
型号： SBAS20HT1G
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 1/3页
文件大小： 121K
描述： DIODE SWITCH 200V 200MA SOD-323
标准包装： 3,000
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 200V
电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.25V @ 200mA
速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间(trr)： 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 1µA @ 200V
电容@ Vr, F： 5pF @ 0V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-76，SOD-323
供应商设备封装： SOD-323
包装： 带卷 (TR)
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
October, 2011 ?
Rev. 6
1
Publication Order Number:
BAS20HT1/D
BAS20HT1, SBAS20HT1G
High Voltage
Switching Diode
Features
?
AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
?
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements
?
These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Continuous Reverse Voltage
VR
200
Vdc
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
200
Vdc
Continuous Forward Current
IF
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
IFM(surge)
625
mAdc
Repetitive Peak Forward Current
IFRM
500
mA
Non?Repetitive Peak Forward Current
(Square Wave, TJ
= 25
°C prior to surge)
t = 1 s
t = 1 ms
t = 1 s
IFSM
5.0
2.0
0.5
A
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR?5 Board*
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
200
1.57
mW
mW/°C
Thermal Resistance Junction?to?Ambient
RJA
635
°C/W
Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to +150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
*FR?5 Minimum Pad
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 200 Vdc)
(VR
= 200 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
1.0
100
Adc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
Adc)
V(BR)
250
?
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
(IF
= 200 mAdc)
VF
?
?
1000
1250
mV
Diode Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
5.0
pF
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 30 mAdc, R
L
= 100
)
trr
?
50
ns
http://onsemi.com
HIGH VOLTAGE
SWITCHING DIODE
Device Package Shipping?
ORDERING INFORMATION
SOD?323
CASE 477
STYLE 1
1
CATHODE
2
ANODE
MARKING DIAGRAM
JR = Specific Device Code
M = Date Code*
= Pb?Free Package
1
2
?For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Brochure, BRD8011/D.
JR M
BAS20HT1G SOD?323
(Pb?Free)
3000 / Tape & Reel
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation may vary depending upon
manufacturing location.
SBAS20HT1G SOD?323
(Pb?Free)
3000 / Tape & Reel
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PDF描述
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SBAS21L 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode
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