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参数资料
| 型号： | SBAS20HT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 121K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200V 200MA SOD-323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
                BAS20HT1, SBAS20HT1G http://onsemi.com 2 Notes: 1. A 2.0 k variable resistor adjusted for a Forward Current (I F) of 30 mA. Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 30 mA. Notes: 3. tp ? t rr +10 V 2.0 k 820 0.1 F D.U.T. VR 100 H 0.1 F 50 Output Pulse Generator 50 Input Sampling Oscilloscope tr tp t 10% 90% IF IR trr t iR(REC) = 3.0 mA OUTPUT PULSE (IF = I R = 30 mA; MEASURED at iR(REC) = 3.0 mA) IF INPUT SIGNAL Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit Figure 2. Forward Current Figure 3. Leakage Current 1000 I VF, FORWARD VOLTAGE (V) 0.1 0.2 0.4 0.6 100 10 1.0 0.8 1.0 1.2 1.4 0 100 I VR, REVERSE VOLTAGE (V) 1.0 0.001 50 0 10 0.1 100 150 200 250 0.01 300 125°C 150°C ?40°C 25°C 55°C , REVERSE CURRENT ( A) R , FORWARD CURRENT (mA) F 125°C 150°C ?40°C 25°C 55°C Figure 4. Total Capacitance 2.0 C VR, REVERSE VOLTAGE (V) 0 5.0 10 15 1.8 0.4 0.2 20 25 30 35 0 , TOTAL CAPACITANCE (pF) T 0.8 0.6 1.2 1.0 1.6 1.4 f = 1 MHz IE = 0 A TA = 25 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBAS21LT3G | DIODE SWITCH 250V 200MA SOT-23 |
| SBAS40LT1G | DIODE SCHOTTKY 40V SOT23 |
| SBG1030L-T-F | DIODE SCHOTTKY 10A 30V D2PAK |
| SBL1060 | DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO220-2 |
| SBL1645 | DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBAS20L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| SBAS20LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 200V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS21DW5 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| SBAS21DW5T1G | 功能描述:DIODE SWITCH 200MA 250V SOT353 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| SBAS21L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
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