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参数资料
| 型号： | SBR660CTT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 100K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 700mV @ 3A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 3A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | * |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MBRD620CTG Series, NRVBD640CTG Series
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 4. Current Derating, Case, Per Leg
Figure 5. Current Derating, Ambient, Per Leg
Figure 6. Typical Capacitance, Per Leg
90 100 120 130 150 160140
0
80
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
8.0
7.0
5.0
6.0
4.0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
100 160120 140
0
0
2.0
1.0
0.5
60
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
70
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
C, CAPACITANCE (pF)
3.0
2.0
1.0
110
20 40 60 80
1.5
2.5
3.0
10 20 30 40 50
3.5
4.0
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
1 K
TJ
= 25
°C
RATED VOLTAGE APPLIED
TJ
= 150
°C
RJC
= 6
°C/W
dc
SINE
WAVE
OR
SQUARE
WAVE
TJ
= 150
°C
VR
= 25 V
RJA
= 80
°C/W
SURFACE MOUNTED ON MIN.
PAD SIZE RECOMMENDED
SQUARE WAVE
OR
SINE WAVE
dc
VR
= 60 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBS822-TL-H | DIODE SCHOTTKY 1A 20V EMH8 |
| SC03-12EWA | DISPLAY 0.3" SGL 625NM RED |
| SC03-12GWA | DISPLAY 0.3" SGL 568NM GRN |
| SC03-12SRWA | DISPLAY 0.3" SGL 640NM RED |
| SC03-12YWA | DISPLAY 590NM YLW NUMERIC 0.3" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBR6F | 制造商:SEMTECH 制造商全称:Semtech Corporation 功能描述:FAST RECOVERY 1-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| SBR6U400P5-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:SUPER BARRIER RECTIFIER PDI5 T&R 5K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:DIODE SBR 400V 6A POWERDI5 |
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| SBR7035R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SCHOTTKY 35V 70A 2PIN DO-203AB - Bulk |
| SBR7045 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SCHOTTKY 45V 70A 2PIN DO-203AB - Bulk |
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