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参数资料
| 型号： | SBR8A45SP5-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 113K |
| 描述： | DIODE BYPASS 45V 8A POWERDI5 |
| 产品培训模块： | Super Barrier Rectifier (SBR®) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SBR® |
| 二极管类型： | 超级势垒 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 300µA @ 45V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerDI? 5 |
| 供应商设备封装： | PowerDI?5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1593 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SBR8A45SP5-13DIDKR |
SBR and POWERDI are registered trademarks of Diodes Incorporated.
SBR8A45SP5
Document number: DS32081 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
SBR8A45SP5
0
02 46810
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Fig. 1 Forward Power Dissipation
I , AVERAGE FORWARD CURRENT (A)F(AV)
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (W)
D
T = 175°CA
0
200
400
600
1
10
100
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(A)
F
0.1
0.01
0.001
0.0001
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (mV)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
10
100
1,000
10,000
100,000
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
EN
T
(μA)
R
T = 25CA
°
T = 85CA
°
T = 125CA
°
T = 150CA
°
Fig. 4 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
0.1
1
10
100
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
C , TOTAL CAPACITANCE (pF)
T
100
1,000
10,000
f = 1MHz
0
04.5913.518
25
50
75
100
125
150
175
200
27 31.5 36 40.5 45
Fig. 5 Operating Temperature Derating
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
T ,DERATED AMBIENT TEMPERATURE ( C)
A
°
Fig. 6 Forward Current Derating Curve
0
2
4
6
8
10
12
25 50 75 100 125 150
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
I , AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
F
Note 5
175
Note 6
Based on Lead Temp (T )L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBR8A60P5-13 | DIODE SBR 60V 8A POWERDI5 |
| SBR8U20SP5-13 | DIODE SBR 20V 8A POWERDI5 |
| SBR8U60P5-13 | DIODE SBR 8A 60V POWERDI5 |
| SBRB1045G | DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK |
| SBRD8835LG | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBR8A60P5-13 | 功能描述:MOSFET Super Barrier Rectif PDI5 T&R 5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SBR8F | 制造商:SEMTECH 制造商全称:Semtech Corporation 功能描述:FAST RECOVERY 1-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| SBR8U20SP-5 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| SBR8U20SP5-13 | 功能描述:MOSFET Super Barrier Rectif PDI5 T&R 5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SBR8U60P5 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:8A SBR? SUPER BARRIER RECTIFIER PowerDI?5 |
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